天二ENR30 F功率電感與40-300V N MOSFET的高效組合設(shè)計(jì)解析
天二ENR30 F功率電感與40-300V N MOSFET技術(shù)優(yōu)勢(shì)深度解析
在現(xiàn)代電源管理系統(tǒng)中,高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換是核心需求。天二ENR30 F功率電感配合40-300V N MOSFET的組合,正逐漸成為開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器及工業(yè)電源設(shè)計(jì)中的理想選擇。
1. 天二ENR30 F功率電感的核心特性
高飽和電流: ENR30 F采用高性能鐵氧體磁芯與優(yōu)化繞線結(jié)構(gòu),最大飽和電流可達(dá)6.5A,適用于大功率負(fù)載場(chǎng)景。
低直流電阻(DCR): 其DCR值低于15mΩ,顯著降低導(dǎo)通損耗,提升整體效率。
寬溫工作范圍: 支持-40℃至+125℃的工作溫度,適用于嚴(yán)苛環(huán)境如工業(yè)控制、車(chē)載系統(tǒng)。
2. 40-300V N MOSFET的關(guān)鍵性能指標(biāo)
高壓耐受能力: 該系列N溝道MOSFET可承受高達(dá)300V的漏源電壓(VDS),滿(mǎn)足高輸入電壓應(yīng)用需求。
快速開(kāi)關(guān)速度: 柵極電荷(Qg)低至35nC,配合驅(qū)動(dòng)電路可實(shí)現(xiàn)高頻切換(>500kHz),減少開(kāi)關(guān)損耗。
低導(dǎo)通電阻(RDS(on)): 在10V柵極驅(qū)動(dòng)下,典型值低于80mΩ,有效降低導(dǎo)通壓降和發(fā)熱。
3. 系統(tǒng)級(jí)協(xié)同設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)
當(dāng)ENR30 F電感與40-300V N MOSFET搭配使用時(shí),可實(shí)現(xiàn)以下優(yōu)勢(shì):
- 更高的能量轉(zhuǎn)換效率(>95%)
- 更小的體積與重量,適合緊湊型電源模塊
- 更低的EMI輻射,得益于平滑的電流波形與快速開(kāi)關(guān)特性
- 良好的熱管理性能,適合長(zhǎng)期連續(xù)工作
4. 應(yīng)用場(chǎng)景拓展
該組合廣泛應(yīng)用于:
- 服務(wù)器電源與通信設(shè)備供電系統(tǒng)
- 新能源汽車(chē)充電樁與車(chē)載OBC(車(chē)載充電機(jī))
- LED驅(qū)動(dòng)電源與工業(yè)變頻器
- 光伏逆變器與儲(chǔ)能系統(tǒng)
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